專注於高能效電源轉換的高壓積體電路領導廠商 Power Integrations 日前宣布，其PowiGaN™氮化鎵(GaN)技術的額定電壓現已高達2200伏，遠超目前市面上所有其他商用GaN技術的電壓水準。這一突破性進展使PowiGaN成為高電壓資料中心、電動汽車、再生能源以及高壓直流基礎設施領域的一流技術解決方案，這些領域正紛紛採用更高電壓的母線架構，以實現更高的功率密度。

Power Integrations總裁兼執行長Jennifer Lloyd表示：「我們的2200伏PowiGaN技術為新興的高壓電力系統提供了充足的電壓裕量，同時支援高開關頻率，從而可充分提升功率密度。新興應用包括下一代AI資料中心——產業發展藍圖指出，這些中心將採用1500伏配電架構；此外，未來電動汽車電池及輔助電源系統的工作輸出電壓也將越來越高（達到48伏）。這一里程碑式的突破將氮化鎵的適用範圍擴充到了過去由碳化矽所涵蓋的電壓區間，為太陽能、高壓直流以及先進工業電力轉換等應用提供了極具吸引力的高頻替代方案。」

歸功於更高的效率和開關頻率，氮化鎵功率開關正逐步取代矽電晶體，廣泛應用於各類電力轉換領域。然而，隨著資料中心、電動汽車、再生能源以及高壓直流基礎設施的發展藍圖對更高電壓和更大功率密度提出要求，氮化鎵技術也必須緊跟步伐。目前的替代方案包括較低頻率的碳化矽(SiC)，或採用多層堆疊、工作電壓較低的氮化鎵元件陣列——但這些方案在功率密度、複雜性和可靠性方面均需做出一定妥協。

額定電壓為1700伏的PowiGaN積體電路已開始應用于單級資料中心輔助電源領域，而1250伏的PowiGaN則為800伏直流資料中心主功率路徑中的疊層解決方案提供了一種更簡單的替代方案。2200伏PowiGaN技術的推出表示未來可支援更高電壓的母線架構，從而不僅為資料中心，也為電動汽車、太陽能光電逆變器和電池儲能系統等領域的電源設計做好了前瞻性布局。

Yole Group化合物半導體技術與市場分析師Roy Dagher博士解釋道：「AI資料中心向800伏直流母線架構的轉型正在重塑功率半導體市場。此前，氮化鎵的電壓上限使其難以進入主功率路徑，這一領域一直由碳化矽主導。而2200伏的額定電壓則改變了這一局面，為單級拓撲結構提供了更多空間，並使新興的1500伏資料中心和電動汽車設計具備了更強的未來適應性。我們預計，到2031年，功率氮化鎵元件市場規模將達到35億美元，而將氮化鎵擴展至這些更高電壓應用正是推動這一成長的重要因素之一。」