中國政府對化合物礦源出口限令，若就第三類半導體氮化鎵（GaN）衝擊來看，或許中、長期未來車戰局會有較大潛移默化的衝擊？

因為功率元件包括矽基（Si）絕緣柵雙極電晶體（IGBT）、碳化矽（SiC）、GaN正在充電樁等工業、車內等中、高壓領域積極爭搶地盤。如今，GaN發展因中國限令被束縛，這讓當下的IGBT感到大快人心？另外，因SiC更符合高壓、大電流、高溫等環境，不久的將來，更有機會獨霸未來車武林？

業者表示，若就未來車的應用領域來看，不論是車外的充電樁、車內的直流對直流（DC/DC）、車載充電器（OBC），甚至是馬達主驅動逆變器（Inverter）領域，目前GaN的導入進度，都比IGBT及SiC來得晚。

若高度考量到成本競爭力，充電樁、車內功率元件多數會採用成熟的IGBT，即使全球仍是由幾家整合元件廠（IDM）廠來主導，包括龍頭英飛凌（Infineon）、安森美（Onsemi）、意法半導體（ST）、日系三菱電機（Mitsubishi Electric）等。

而SiC雖然成本高，但是它耐高電壓、大電流及高溫的特性，在電動車（EV）領域受到肯定，主要是Tesla率先導入，驗證了SiC上車的可行性。

當下，SiC的特性讓電動車在輕量化及增加續航力上，產生明顯效益，被部分車廠認定，足以彌補SiC的高成本問題。尤其，得到諸多中系車廠的青睞，而其他地區的車廠也積極規劃導入。

而GaN在汽車的機遇，沒有SiC好，未遇到Tesla般的伯樂。但，近期市場也看好它較IGBT來得耐高溫、高壓，且更符合高頻特性。其在充電樁、車內的車載充電器潛力被看好，有部分車廠陸續規劃在未來幾年內導入。

不過，當下包括GaN、SiC在量產上，都有良率難突破之處，這是成本難降的主因，更顯得當下，誰可完全替代誰的結論下得太早。

當然，若用極端的礦源出口限制來看，可能衝擊各供應鏈GaN的發展，進而影響它在汽車領域的應用，但，只要上游材料非中國獨大掌控，時間一拉長、各類因應策略就會出現。例如先前俄烏戰爭，有部分半導體材料突然受限，一度造成供應鏈恐慌，但因應解方又出乎市場意料的快速出現。

業者認為，IGBT、GaN、SiC會依各自特性，針對不同的車廠、旗下各車款定位及需求，各有發揮空間，預估該發展方向仍會維持，主要判斷是多數車廠或應用端業者，不傾向極端過度依賴某材料或單一元件，因其容易陷入被掐喉的危機。另外，其實出口限制，不是禁止出口，有時只要拉高採購成本就可解決。

不過，已由GaN主導的3C產品快充頭，不會因為中國限令使市場走回頭路、重回IGBT的懷抱，因為它已是既定發展趨勢，而且歐、美、日等供應鏈擁有自主生產力。