（首圖來源：
Onsemi網站）
安森美（onsemi）宣佈，已與格羅方德（GlobalFoundries）簽署合作協定。 雙方將基於格羅方德最先進的200毫米增強型矽基GaN工藝，共同研發並製造先進GaN功率產品，首款產品為650V元件。 此次合作將加速安森美高性能GaN元件及整合功率級的技術路線圖，透過擴充高壓產品群，滿足AI資料中心、電動汽車、可再生能源、工業系統以及航空航太等領域日益增加的功率需求。
「此次合作將安森美的系統及產品專業知識，與格羅方德先進的GaN工藝相結合，為高成長市場打造全新650V功率元件。 這些GaN產品搭配我們的矽基驅動器和控制器，將助力客戶實現創新，為AI資料中心、電動汽車、航太應用等場景構建更小、更高能效的功率系統。 我們計劃於2026年上半年開始向客戶提供樣品，並快速擴大至量產規模。 」安森美企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示。
「我們將200毫米矽基GaN平臺與安森美深厚的系統和產品專業知識相結合，不僅加速了高效解決方案的發展，更為數據中心、汽車、工業、航空航太等關鍵市場構建了更具韌性的供應鏈。 以安森美為關鍵合作夥伴，我們將持續推動GaN半導體技術升級，滿足人工智慧、電氣化和可持續能源領域不斷演變的需求。」 格羅方德首席商務官Mike Hogan說。
安森美將其領先業界的矽基驅動器、控制器和強化散熱封裝技術，與格羅方德的650V GaN技術平台相結合，打造出更高功率密度和能效的GaN元件。 產品應用場景具體包括：AI資料中心電源及其DC-DC轉換器、電動汽車車載充電機及其DC-DC轉換器、微型光伏逆變器和儲能系統，以及工業與航空航太領域的電機驅動器和DC-DC轉換器等。
此次合作進一步擴充了安森美領先的功率半導體產品群，如今已涵蓋了全譜系GaN技術——從低壓、中壓、高壓橫向GaN，到超高壓垂直GaN。 這一全面佈局讓系統設計人員能夠構建下一代電源架構，在更小的尺寸內實現更高的功率輸出。 GaN技術的核心優勢包括：
- 更高開關頻率——透過更高的開關頻率運行，GaN技術能幫助設計人員減少零組件數量、縮小系統尺寸並降低成本，同時提升能效和散熱性能。
- 雙嚮導通能力——GaN的雙嚮導通特性支援全新拓撲結構，可替代多達四個傳統單向電晶體，進而降低成本並簡化設計。
- 整合化功能——在單個封裝內整合GaN FET與驅動器、控制器、隔離和保護功能，可縮短設計週期並降低電磁干擾。 強化散熱封裝和優化的閘極驅動器，即使在高開關速度下也能保障性能和可靠性。
供貨情況
安森美計劃於2026年上半年開始提供樣品。